2N5684G, Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 800 руб.
от 10 шт. —
3 290 руб.
от 20 шт. —
2 890 руб.
от 50 шт. —
2 762.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 800 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 50A 80V 300W PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 8.51 mm |
Длина | 38.86 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 50 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 50 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Серия | 2N5684 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | TO-204-2 |
Ширина | 26.67 mm |
Вес, г | 14.29 |
Техническая документация
Datasheet 2N5684G
pdf, 190 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов