2N5684G, Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP

2N5684G, Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 800 руб.
от 10 шт.3 290 руб.
от 20 шт.2 890 руб.
от 50 шт.2 762.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 800 руб.
Номенклатурный номер: 8005368244
Артикул: 2N5684G

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 50A 80V 300W PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 8.51 mm
Длина 38.86 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 50 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 2 MHz
Размер фабричной упаковки 100
Серия 2N5684
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tray
Упаковка / блок TO-204-2
Ширина 26.67 mm
Вес, г 14.29

Техническая документация

Datasheet 2N5684G
pdf, 190 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов