2N6039G
400 руб.
от 2 шт. —
310 руб.
от 5 шт. —
248 руб.
от 10 шт. —
224.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 80V, 4A, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80VDC; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 4 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 100, 500, 750 |
DC Current Gain hFE Max | 15000 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 500 |
Height | 11.04 mm |
Length | 7.74 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Collector Cut-off Current | 500 uA |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 40 W |
Product Category | Darlington Transistors |
RoHS | Details |
Series | 2N6039 |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 2.66 mm |
Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Документация
pdf, 201 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов