2N6039G

400 руб.
от 2 шт.310 руб.
от 5 шт.248 руб.
от 10 шт.224.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8002981641

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 80V, 4A, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80VDC; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 100, 500, 750
DC Current Gain hFE Max 15000
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 500
Height 11.04 mm
Length 7.74 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Collector Cut-off Current 500 uA
Maximum DC Collector Current 4 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-225AA
Packaging Bulk
Pd - Power Dissipation 40 W
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series 2N6039
Transistor Polarity NPN
Width 2.66 mm
Вес, г 0.8

Техническая документация

Документация
pdf, 201 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов