2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]

2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3964 шт. со склада г.Москва
18 руб.
от 50 шт.16 руб.
1 шт. на сумму 18 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001106022
Артикул: 2N60G
PartNumber: UMW 2N60G

Описание

SOT-223 N-Channel MOSFETs ROHS VDS(V)=650V аналог:UMW2N60G

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.2 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet UMW 2N60
pdf, 2632 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.