2N6341, Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 25 А, 200 Вт, TO-3, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
174 шт., срок 8-10 недель
4 840 руб.
от 5 шт. —
3 150 руб.
от 10 шт. —
2 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 840 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
• Low collector saturation voltage
• High DC current gain
• Collector-base voltage(Vcbo = 180V)
• Emitter-base voltage(Vebo = 6V)
• Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 150В |
| Continuous Collector Current | 25А |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3 |
| Частота Перехода ft | 40МГц |
| Вес, г | 11.79 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 285 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
