2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252]

2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1055 шт. со склада г.Москва
17 руб.
от 50 шт.15 руб.
1 шт. на сумму 17 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001106025
Артикул: 2N65L
PartNumber: UMW 2N65L

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.5 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус dpak
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet UMW 2N65
pdf, 2070 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.