2N7000-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 500 шт. —
89 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 5 500 руб.
Описание
МОП-транзистор 60V 5Ohm
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 5.08mm |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Microchip |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 мА |
| Package Type | TO-92 |
| Maximum Power Dissipation | 1 Вт |
| Series | 2N7000 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 4.06mm |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| Height | 5.33мм |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 В |
| Pin Count | 3 |
| Номер канала | Поднятие |
| Тип канала | N |
| Maximum Gate Source Voltage | 30 V |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mmho |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Base Product Number | 2N7000 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 4.06mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
