2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
![Фото 1/4 2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299917.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 | |
| Корпус | TO-92(Formed Leads) | |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
2N7000TA datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7000TA
pdf, 152 КБ
Документация
pdf, 208 КБ
2N7000, 2N7002, NDS7002A
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
С этим товаром покупают
