2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]

Артикул: 2N7000TA
Ном. номер: 9000119195
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
Фото 2/3 2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]Фото 3/3 2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
4 руб. × = 4 руб.
от 100 шт. — 3.50 руб.
от 1000 шт. — 3.30 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor

Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус

Техническая документация

2N7000TA datasheet
pdf, 115 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N7000TA
Datasheet 2N7000TA
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео