2N7002-7-F, Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/3 2N7002-7-F, Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 36000 шт.5.30 руб.
Добавить в корзину 9000 шт. на сумму 54 000 руб.
Посмотреть аналоги15
Номенклатурный номер: 8003208150
Артикул: 2N7002-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 115мА, 300мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 115mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 370mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5О© @ 50mA,5V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V @ 250uA
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 5.6 ns
Forward Transconductance - Min: 80 mS
Id - Continuous Drain Current: 210 mA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 540 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge: 223 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 5 Ohms
Rise Time: 3 ns
Series: 2N7002
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: Enhancement Mode Field Effect Transistor
Typical Turn-Off Delay Time: 7.6 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 115 mA
Maximum Drain Source Resistance 13.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.4mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 357 КБ
Datasheet 2N7002-7-F
pdf, 112 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов