2N7002-G

2N7002-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 330 000 руб.
Номенклатурный номер: 8013930826

Описание

МОП-транзистор 60V 7.5Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 115 mA
Pd - рассеивание мощности 360 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.93 mm
Длина 2.92 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 80 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип FET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 20 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка Microchip Technology
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 31

Техническая документация

Datasheet 2N7002-G
pdf, 465 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов