2N7002BKW,115, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 310 мА, 1 Ом, SOT-323, Surface Mount

Фото 2/3 2N7002BKW,115, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 310 мА, 1 Ом, SOT-323, Surface MountФото 3/3 2N7002BKW,115, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 310 мА, 1 Ом, SOT-323, Surface Mount
Фото 1/3 2N7002BKW,115, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 310 мА, 1 Ом, SOT-323, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5400 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
75 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.42 руб.
от 100 шт.21 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 375 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8788070221
Артикул: 2N7002BKW,115
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

• Совместимость на логическом уровне
• Очень быстрое переключение
• Защита от электростатических разрядов до 2 кВ
• Соответствует стандарту AEC-Q101

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Рассеиваемая Мощность 275мВт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 310мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 1.6В
Transistor Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 2.2мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand Nexperia
Maximum Continuous Drain Current 310 мА
Package Type SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation 330 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.35мм
Maximum Gate Threshold Voltage 2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V
Высота 1мм
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 0.5 nC
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 350 mA
Pd - рассеивание мощности 440 mW
Qg - заряд затвора 0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6 ns
Время спада 7 ns
Другие названия товара № 934064283115
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип Enhancement
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения 12 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT323
Base Product Number 2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max) 275mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package SOT-323
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250ВµA
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet 2N7002BKW.115
pdf, 709 КБ
Datasheet 2N7002BKW,115
pdf, 719 КБ
Datasheet 2N7002BKW,115
pdf, 155 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах