2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3]
![Фото 1/5 2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
от 100 шт. —
5 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 руб.
Описание
The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.
• 1.2A Pulsed drain current
• ±20V Gate to source voltage
• Halogen-free
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом |
| Power Dissipation | 420мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 310мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet 2N7002E
pdf, 131 КБ
Datasheet 2N7002ET1G
pdf, 88 КБ
Документация
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
