2N7002H6327XTSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
99 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
48 руб.
от 10 шт. —
32 руб.
от 12 шт. —
27.78 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 198 руб.
Номенклатурный номер: 8003907507
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой 2N7002H6327XTSA2 от INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Этот транзистор отличается током стока 0,3 А и напряжением сток-исток 60 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электронных применений. С мощностью 0,5 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 4 Ом, он гарантирует эффективность и экономичность в использовании. Компактный корпус PG-SOT23 обеспечивает легкость интеграции в различные схемы. Модель 2N7002H6327XTSA2 является идеальным выбором для разработчиков, ищущих надежные транзисторы с хорошими характеристиками. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.3 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 4 |
| Корпус | PG-SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 24000 |
| Fall Time | 3.1 ns |
| Forward Transconductance - Min | 200 mS |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | 2N7002 2N7002H6327XT H6327 SP000929182 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 600 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Rise Time | 3.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | 2N7002 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 5.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Width | 1.3 mm |
| Base Product Number | 2N7002 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.034 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002H6327XTSA2
pdf, 252 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
