Мой регион: Россия

2N7002WT1G, МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 В

Ном. номер: 8141335558
PartNumber: 2N7002WT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 2N7002WT1G, МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 2N7002WT1G, МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 ВФото 3/5 2N7002WT1G, МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 ВФото 4/5 2N7002WT1G, МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 ВФото 5/5 2N7002WT1G, МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 В
19 руб.
128680 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 100 шт. — 6.40 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. По запросу 1 шт. 2891 шт.
от 3000 шт. — 1.30 руб.
от 6000 шт. — 1.20 руб.
3.30 руб. 3-4 недели, 435 шт. 1 шт. 50 шт.
5 руб. 4 дня, 1162 шт. 1 шт. 133 шт.
от 474 шт. — 3 руб.
от 948 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The 2N7002WT1G is a N-channel small signal Power MOSFET ideal for low power applications. It offers 60V drain source voltage and 310mA continuous drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, DSC and PDA applications.

• Low RDS (ON)
• Small footprint surface-mount package
• Halogen-free
• ESD Protected
• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
340 мА
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.35мм
Высота
0.9мм
Размеры
2.2 x 1.35 x 0.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12,2 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
55,8 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
24,5 пФ при 20 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.055

Дополнительная информация

Datasheet 2N7002WT1G
Datasheet 2N7002WT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.