Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › 2PD601ASW,115, Биполярный транзистор, NPN ...

2PD601ASW,115, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 100 мА, 200 мВт, SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2975 шт., срок 8-10 недель

36 руб.

Мин. кол-во для заказа 75 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 16 руб.

Добавить в корзину 75 шт. на сумму 2 700 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003358683

Артикул: 2PD601ASW,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	290hFE
DC Усиление Тока hFE	290hFE
Power Dissipation	200мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	2PD601A
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SC-70
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	2PD601ASW T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	290
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	290 at 2 mA at 10 V
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Вес, г	0.01