2SA1774G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, PNP, -60 В, 140 МГц, 150 мВт, -100 мА, 120 hFE

Фото 2/2 2SA1774G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, PNP, -60 В, 140 МГц, 150 мВт, -100 мА, 120 hFE
Фото 1/2 2SA1774G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, PNP, -60 В, 140 МГц, 150 мВт, -100 мА, 120 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8115545560
Артикул: 2SA1774G
Производитель: ON Semiconductor
19 руб.
19000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 30 шт. — 13 руб.
от 100 шт. — 6.20 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
0.90 руб. 7 дней, 12000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
2 руб. 7 дней, 14250 шт. 250 шт. 250 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal PNP Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер -60В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-416
Рассеиваемая Мощность 150мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -100мА
DC Усиление Тока hFE 120hFE
Частота Перехода ft 140МГц
Линейка Продукции 2NXXXX Series
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -0.5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 30 MHz
Number of Elements per Chip 1
Length 1.65мм
Maximum Collector Base Voltage -50 V
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 60 В
Package Type SOT-416 (SC-75)
Maximum Power Dissipation 150 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 0.9мм
Maximum DC Collector Current 100 мА
Transistor Type PNP
Height 0.8мм
Pin Count 3
Dimensions 1.65 x 0.9 x 0.8mm
Maximum Emitter Base Voltage -6 V
Minimum DC Current Gain 120
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -0.5 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 30 MHz
Количество элементов на ИС 1
Длина 1.65mm
Maximum Collector Base Voltage -50 V
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 60 V
Package Type SOT-416 (SC-75)
Максимальное рассеяние мощности 150 mW
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Width 0.9mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type PNP
Высота 0.8мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage -6 V
Размеры 1.65 x 0.9 x 0.8mm
Minimum DC Current Gain 120
Вес, г 0.032

Дополнительная информация

Datasheet 2SA1774G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.