Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › No trademark › 2SA2013-TD-E

2SA2013-TD-E

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней

200 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 150 руб.

от 8 шт. — 125 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 400 руб.

Номенклатурный номер: 8002971923

Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент

ON Semi 2SA2013-TD-E PNP Bipolar Transistor, 4 A, 50 V, 3-Pin PCP | ON Semiconductor 2SA2013-TD-E

Технические параметры

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	-50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	-50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	-200 mV
Configuration	Single
Continuous Collector Current	-4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	200
DC Current Gain hFE Max	560
Emitter- Base Voltage VEBO	-6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product fT	360 MHz
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	-7 A
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PCP-3
Packaging	Cut Tape
Pd - Power Dissipation	3.5 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	2SA2013
Transistor Polarity	PNP
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	360 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SA2013
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	PCP-3
Maximum Collector Base Voltage	-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Emitter Base Voltage	-6 V
Maximum Operating Frequency	360 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.5 W
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PCP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Flat
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.2@100mA@2A
Maximum Collector Base Voltage (V)	50
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	1000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.18@50mA@1A\|0.34@100mA@2A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Maximum DC Collector Current (A)	4
Maximum Emitter Base Voltage (V)	6
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1300
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Operating Junction Temperature (°C)	150
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-89
Tab	Tab
Type	PNP
Вес, г	0.0515