2SA2013-TD-E, BIP PNP 4A

PartNumber: 2SA2013-TD-E
Ном. номер: 8008791820
Производитель: ON Semiconductor
2SA2013-TD-E, BIP PNP 4A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
30 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 50 шт. — 25 руб.
от 125 шт. — 16.08 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Технические параметры

Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальный пост. ток коллектора
4 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 V
Максимальная рабочая частота
360 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
3.5 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
Контакт
Число контактов
3
Ширина
2.5mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.2 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-340 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Тип транзистора
PNP
Высота
1.5mm
Длина
4.5mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

2SA2013 / 2SC5566, Bipolar Transistor (-)50V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Data Sheet 2SA2013-TD-E