2SB1198KT146Q, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
346 шт., срок 7 недель
68 руб.
от 10 шт. —
43 руб.
от 30 шт. —
27 руб.
от 100 шт. —
21.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 68 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 0.5A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 100 mA at 3 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SB1198K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | 2SB1198 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
