2SB1201S-TL-E, 100nA 50V 15W 140@100mA,2V 2A 150MHz PNP 150mV@1A,50mA +150°C@(Tj) TP-FA BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 30 шт. —
106 руб.
от 100 шт. —
89.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@50mA@1A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@50mA@1A |
Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
Minimum DC Current Gain | 140@100mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | DPAK |
Standard Package Name | TO-252 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 2.3 |
Package Length | 6.5 |
Package Width | 5.5 |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 700 |
Серия | 2SB1201 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Collector Emitter Voltage Max | 50В |
Continuous Collector Current | 2А |
DC Current Gain hFE Min | 140hFE |
DC Усиление Тока hFE | 140hFE |
Power Dissipation | 15Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 382 КБ
EN2112-D-1803660
pdf, 390 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов