2SB1706TL, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 2 А, 500 мВт, SOT-346, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2985 шт., срок 8-10 недель
94 руб.
Мин. кол-во для заказа 28 шт.
от 100 шт. —
60 руб.
Добавить в корзину 28 шт.
на сумму 2 632 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
2Sx Bipolar Junction TransistorsROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. ROHM 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T stg ) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T J ) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Continuous Collector Current | 2А |
| DC Current Gain hFE Min | 270hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 270hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 270 |
| DC Current Gain hFE Max: | 270 at 200 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 280 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 2SB1706 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2SB1706 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SB1706TL
pdf, 52 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
