2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
![2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547716.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
293 шт. со склада г.Москва
300 руб.
от 15 шт. —
273 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Технические параметры
| Структура | pnp | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 55…160 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 | |
| Корпус | to-3pf | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
ISCSEMI 2SB... Bipolar Transistots
pdf, 702 КБ
Datasheet 2SB778
pdf, 79 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
