2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]
![2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
442 шт. со склада г.Москва
320 руб.
от 15 шт. —
252 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Технические параметры
| Структура | pnp | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 160 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 140 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…200 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 15 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 | |
| Корпус | to-3pn | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
ISCSEMI 2SB... Bipolar Transistots
pdf, 702 КБ
Datasheet 2SB817
pdf, 80 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
