2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]

2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]
925 шт. со склада г.Москва
150 руб.
от 15 шт.129 руб.
от 150 шт.126 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000464588
Артикул: 2SB817
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Inchange Semiconductor

Технические параметры

Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60…200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 100
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet 2SB817
pdf, 80 КБ
ISC new catalogue
pdf, 2862 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах