2SC5876U3T106, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount

Фото 1/3 2SC5876U3T106, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11055 шт., срок 8-10 недель
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.55 руб.
Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 940 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8004231871
Артикул: 2SC5876U3T106
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 60В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 120hFE
DC Усиление Тока hFE 120hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 300МГц
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 390
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-323-3
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1603 КБ
Datasheet
pdf, 1633 КБ
Datasheet 2SC5876U3T106
pdf, 1589 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.