2SC5876U3T106, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11055 шт., срок 8-10 недель
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
55 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 2 940 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 60В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323(SC-70) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.