Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SCR346PT100P, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

2SCR346PT100P, Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

29 шт., срок 7-9 недель

170 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004725560

Артикул: 2SCR346PT100P

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	82 at 10 mA, 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270 at 10 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SxR
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SC-62-3
Collector Emitter Voltage Max	400В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	82hFE
DC Усиление Тока hFE	82hFE
Power Dissipation	500мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1