2SCR512P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 шт., срок 8-10 недель
86 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
54 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 2 580 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 30В |
Continuous Collector Current | 2А |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation | 500мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 320МГц |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 2SCR512P5 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 100 mA, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at 100 mA, 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SxR |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-62-3 |
Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SCR512P5T100
pdf, 1820 КБ
Datasheet 2SCR512P5T100
pdf, 1814 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.