2SCR512P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount

Фото 1/5 2SCR512P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
700 шт., срок 8-10 недель
86 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.54 руб.
Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 580 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8000819234
Артикул: 2SCR512P5T100
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 30В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 500мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 320МГц
Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SCR512P5
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 100 mA, 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500 at 100 mA, 2 V
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 320 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SxR
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SC-62-3
Maximum Collector Base Voltage 30 V
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 500 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-89
Pin Count 3+Tab
Transistor Configuration Common Emitter
Transistor Type NPN
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet 2SCR512P5T100
pdf, 1820 КБ
Datasheet 2SCR512P5T100
pdf, 1814 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.