Мой регион: Россия

2SCR513P5T100

Ном. номер: 8000867796
PartNumber: 2SCR513P5T100
Производитель: Rohm
2SCR513P5T100
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
34 руб.
1000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 16 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
42 руб. 3-4 недели, 867 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 31 руб.
от 25 шт. — 29.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Power Transistors, ROHM

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
350 мВ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.7мм
Transistor Configuration
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Производитель
ROHM
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.4мм
Число контактов
3+Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
4.7 x 2.7 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
180

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.