2SD1782KT146Q, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 120 МГц, 200 мВт, 500 мА, 120 hFE

Фото 2/2 2SD1782KT146Q, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 120 МГц, 200 мВт, 500 мА, 120 hFE
Фото 1/2 2SD1782KT146Q, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 120 МГц, 200 мВт, 500 мА, 120 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8457150059
Артикул: 2SD1782KT146Q
Производитель: Rohm
60 руб.
85 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 40 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
34 руб. 7 дней, 40 шт. 40 шт. 40 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
NPN Power Transistors, ROHM

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 80В
Стиль Корпуса Транзистора sot-346
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 500мА
DC Усиление Тока hFE 120hFE
Частота Перехода ft 120МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 120 MHz
Number of Elements per Chip 1
Length 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Brand ROHM
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V
Package Type SOT-346
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 1.8мм
Maximum DC Collector Current 500 mA
Transistor Type NPN
Высота 1.2мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Dimensions 3 x 1.8 x 1.2mm
Minimum DC Current Gain 120
Вес, г 0.726

Дополнительная информация

Datasheet 2SD1782KT146Q

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах