2SD1802T-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт. —
170 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 50В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation | 15Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.19 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 700 |
Серия | 2SD1802 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 271 КБ
Datasheet 2SD1802T-TL-E
pdf, 281 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов