2SD1802T-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Фото 1/2 2SD1802T-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт.170 руб.
Добавить в корзину 11 шт. на сумму 2 750 руб.
Номенклатурный номер: 8003187121
Артикул: 2SD1802T-TL-E

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 50В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 15Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 150МГц
Pd - рассеивание мощности 15 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 400
Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.19 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 5 A
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 700
Серия 2SD1802
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок TO-252-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 271 КБ
Datasheet 2SD1802T-TL-E
pdf, 281 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов