Мой регион: Россия

2SD882

Ном. номер: 8218547815
PartNumber: 2SD882
Производитель: ST Microelectronics
2SD882
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 руб.
1085 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 60 руб.
от 100 шт. — 38 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
17 руб. 423 шт. 1 шт. 244 шт.
от 400 шт. — 14.30 руб.
47 руб. 3-4 недели, 1270 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 41.80 руб.
от 100 шт. — 33.10 руб.
76 руб. 1-2 недели, 510 шт. 10 шт. 10 шт.
от 20 шт. — 58 руб.
от 50 шт. — 52 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Длина
7.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Тип корпуса
SOT-32
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.