2SD882Q, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=30В, Vcbo=60В, Pd=12.5Вт [TO-126]
![2SD882Q, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=30В, Vcbo=60В, Pd=12.5Вт [TO-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278801.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
152 шт. со склада г.Москва
63 руб.
от 15 шт. —
48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 63 руб.
Технические параметры
| Структура | npn | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 60 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 90 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 | |
| Корпус | to-126 | |
| Вес, г | 0.9 |
Техническая документация
ISCSEMI 2SD... Bipolar Transistots
pdf, 1260 КБ
Datasheet 2SD882
pdf, 187 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
