2SK1829(TE85L,F), MOSFET N-Channel 20V 0.05

PartNumber: 2SK1829(TE85L,F)
Ном. номер: 8144494394
Производитель: Toshiba
2SK1829(TE85L,F), MOSFET N-Channel 20V 0.05
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
32 руб. × = 320 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

N-Channel MOSFETs Up to 0.99A

MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Small Signal
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
2 x 1.25 x 0.9mm
высота
0.9mm
длина
2mm
Maximum Continuous Drain Current
0.05 A
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
10 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.1 W
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
USM
Pin Count
3
Typical Input Capacitance @ Vds
5.5 pF@ 3 V
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
Typical Turn-On Delay Time
1400 ns
ширина
1.25mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V

Дополнительная информация

2SK1829, Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS