2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P]
![2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303027.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 шт. со склада г.Москва
580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
| Корпус | SC-65/2-16C1B | |
| Вес, г | 4.6 |
Техническая документация
2SK2313 datasheet
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
