Мой регион: Россия

2SK3666-3-TB-E

Ном. номер: 8216623924
PartNumber: 2SK3666-3-TB-E
Производитель: ON Semiconductor
2SK3666-3-TB-E
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
48 руб.
3863 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 31 руб.
от 100 шт. — 14 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
9 руб. 8 дней, 550 шт. 50 шт. 50 шт.
37 руб. 3-4 недели, 1687 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 28.10 руб.
от 25 шт. — 25.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-channel JFET, ON Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9мм
Transistor Configuration
Single
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 → 3mA
Brand
ON Semiconductor
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Package Type
CP
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
1.5мм
Height
1.1мм
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Configuration
Single
Channel Type
N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.