2STR2230, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 100 МГц, 500 мВт, -1.5 А, 560 hFE

Фото 2/3 2STR2230, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 100 МГц, 500 мВт, -1.5 А, 560 hFEФото 3/3 2STR2230, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 100 МГц, 500 мВт, -1.5 А, 560 hFE
Фото 1/3 2STR2230, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 100 МГц, 500 мВт, -1.5 А, 560 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8105281436
Артикул: 2STR2230
Производитель: ST Microelectronics
46 руб.
2365 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 33 руб.
от 100 шт. — 20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
32 руб. 7 дней, 2800 шт. 25 шт. 25 шт.
13 руб. 3-5 недель, 12000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 6000 шт. — 10.90 руб.
29 руб. 3-4 недели, 458 шт. 1 шт. 4 шт.
от 30 шт. — 27.50 руб.
от 100 шт. — 27 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The 2STR2230 is a PNP fast-switching Power Transistor manufactured using new "PB-HCD" (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast switching speed
• Surface-mount device in medium power package

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер -30В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 500мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -1.5А
DC Усиление Тока hFE 560hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,8 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.25 V
Длина 2.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 30 V
Производитель STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 30 V
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 500 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора 1.5 A
Тип транзистора PNP
Высота 0.95мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 0.95 x 2.9 x 1.3мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 70
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.75
Type PNP
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.25@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.45@100mA@1A|0.17@1mA@0.1A|0.8@200mA@2A
Maximum DC Collector Current (A) 1.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 170@0.5A@2V|70@1.5A@2V|100@1A@2V|210@50mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 500
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT-23
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.95
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Вес, г 0.1

Дополнительная информация

Datasheet 2STR2230
Datasheet 2STR2230

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.