4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Фото 2/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]Фото 3/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]Фото 4/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]Фото 5/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]Фото 6/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]Фото 7/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]
Фото 1/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]
Ном. номер: 495
Артикул: 4N35M
Производитель: ON Semiconductor
20 руб.
1583 шт. со склада г.Москва
от 20 шт. — 17 руб.
от 200 шт. — 16.60 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
15 руб. По запросу 1 шт. 152 шт.
от 350 шт. — 12.30 руб.
от 1450 шт. — 11.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

Описание

The 4N35-M from Fairchild is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.

• Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
• Isolation voltage of 4.17KVAC
• Forward current (If) of 60mA
• Single channel
• UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
• Operating temperature range from -40°C to 100°C

Технические параметры

Количество каналов 1
Напряжение изоляции (RMS), В 4170
Коэффициент передачи по току (Min), % 100
Время включения (Typ), мкс 2
Время выключения (Typ), мкс 2
Тип входа DC
Тип выхода Транзистор с базой
Напряжение выхода, В 30
Рабочая температура, °C -40…+100
Корпус dip-6
Вес, г 0.9

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet 4N35M

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах