Главная › Электронные компоненты › Оптопары и изоляторы › Оптопары с транзисторным и диодным выходом › ON Semiconductor › 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Фото 4/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Фото 5/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Фото 6/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Фото 7/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Фото 1/7 4N35M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]

Ном. номер: 495

Артикул: 4N35M

Производитель: ON Semiconductor

20 руб.	1583 шт. со склада г.Москва
от 20 шт. — 17 руб. от 200 шт. — 16.60 руб.

Показать альтернативные предложения > > >

Цена	Наличие	Кратность	Минимум	Количество
15 руб.	По запросу	1 шт.	152 шт.
от 350 шт. — 12.30 руб. от 1450 шт. — 11.70 руб.

Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Есть аналоги

В кредит от 0 руб./мес

Описание

The 4N35-M from Fairchild is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.

• Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
• Isolation voltage of 4.17KVAC
• Forward current (If) of 60mA
• Single channel
• UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
• Operating temperature range from -40°C to 100°C

Технические параметры

Количество каналов	1
Напряжение изоляции (RMS), В	4170
Коэффициент передачи по току (Min), %	100
Время включения (Typ), мкс	2
Время выключения (Typ), мкс	2
Тип входа	DC
Тип выхода	Транзистор с базой
Напряжение выхода, В	30
Рабочая температура, °C	-40…+100
Корпус	dip-6
Вес, г	0.9