Мой регион: Россия

50A02MH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 690 МГц, 600 мВт, -500 мА, 200 hFE

Ном. номер: 8168314405
PartNumber: 50A02MH-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 50A02MH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 690 МГц, 600 мВт, -500 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 50A02MH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 690 МГц, 600 мВт, -500 мА, 200 hFE
41 руб.
768 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 12 шт. — 29 руб.
от 102 шт. — 14 руб.
Кратность заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
16 руб. 8 дней, 11700 шт. 50 шт. 50 шт.
39 руб. 3-4 недели, 8985 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 27.80 руб.
от 25 шт. — 27.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-120 mV
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
690 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.2 V
Длина
2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Тип корпуса
MCPH
Максимальное рассеяние мощности
600 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
2.1мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
PNP
Высота
0.85
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Размеры
2 x 2.1 x 0.85мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.3

Дополнительная информация

Datasheet 50A02MH-TL-E
Datasheet 50A02MH-TL-E

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.