7MBR75U4B-120-50, 7 Pack IGBT Module, 1200V

PartNumber: 7MBR75U4B-120-50
Ном. номер: 8101298958
Производитель: Fuji Electric
7MBR75U4B-120-50, 7 Pack IGBT Module, 1200V
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
Бесплатная доставка по г.Москва
12 290 руб. × = 12 290 руб.
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 10 600 руб.
от 5 шт. — 9 320 руб.

Описание

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semiconductors

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Seven
Dimensions
122 x 62 x 17mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
275 W
Package Type
M712
Pin Count
24
Width
62mm
высота
17mm
длина
122mm
тип монтажа
Screw Mount

Дополнительная информация

Six pack IGBT Module, 1200V 7MBR75U4B-120-50