AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]

Фото 2/2 AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]
Фото 1/2 AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]
49 шт. со склада г.Москва
1 040 руб.
от 15 шт.1 010 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000367755
Артикул: AFT09MS015NT1
Страна происхождения: МАЛАЙЗИЯ
Производитель: NXP Semiconductor

Описание

РЧ МОП-транзисторы 136-941 MHz 16W 12.5V

Технические параметры

Другие названия товара № 935324771515
Категория продукта РЧ МОП-транзисторы
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип RF Power MOSFET
Тип продукта RF MOSFET Transistors
Торговая марка NXP Semiconductors
Упаковка Reel, Cut Tape
Чувствительный к влажности Yes
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet AFT09MS015NT1
pdf, 854 КБ
Datasheet AFT09MS015N
pdf, 799 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах