Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AON3419-HXY

Номенклатурный номер
8022777668
Бренд
Continuous Drain Current (Id)
32A
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1.345nF@15V
Power Dissipation (Pd)
3.57W
Type
P Channel
Все параметры
883 шт., срок 8-9 недель
47 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.36 руб.
от 30 шт.32 руб.
от 100 шт.25.58 руб.
8 шт. на сумму 376 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
30V 32A 12mΩ@10V,15A 3.57W 2.5V@250uA P Channel DFN-8L(3x3) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 12mΩ@10V, 15A
Пороговое напряжение на затворе 2.5V@250uA
Continuous Drain Current (Id) 32A
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.345nF@15V
Power Dissipation (Pd) 3.57W
Type P Channel

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.