Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AON3419-HXY
Номенклатурный номер
8022777668
Бренд
Continuous Drain Current (Id)
32A
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1.345nF@15V
Power Dissipation (Pd)
3.57W
Type
P Channel
Все параметры
883 шт., срок 8-9 недель
47 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
36 руб.
от 30 шт. —
32 руб.
от 100 шт. —
25.58 руб.
8 шт.
на сумму 376 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
30V 32A 12mΩ@10V,15A 3.57W 2.5V@250uA P Channel DFN-8L(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12mΩ@10V, 15A | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA | |
| Continuous Drain Current (Id) | 32A | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.345nF@15V | |
| Power Dissipation (Pd) | 3.57W | |
| Type | P Channel |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




