AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]
![Фото 1/2 AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
217 шт. со склада г.Москва
98 руб.
от 10 шт. —
81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт
Технические параметры
| Структура | N/P-каналы | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 35 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7/6.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 9/9 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet AP4511GM
pdf, 97 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
