AT25XE041B-MAHN-T, Флеш память, Последовательная NOR, 4 Мбит, SPI, UDFN, 8 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4614 шт., срок 8-10 недель
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 50 шт. —
294 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 1.65V-3.6V Serial NOR Fusion Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.65В |
| Размер Памяти | 4Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | UDFN |
| Тактовая Частота | 85МГц |
| Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
| Тип Интерфейса ИС | SPI |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet AT25XE041B-MAHN-T
pdf, 3098 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
