AT25XE512C-XMHN-B, Флеш память, Последовательная NOR, 512 Кбит, SPI, TSSOP, 8 вывод(-ов)

AT25XE512C-XMHN-B, Флеш память, Последовательная NOR, 512 Кбит, SPI, TSSOP, 8 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
198 шт., срок 8-10 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 50 шт.128 руб.
Добавить в корзину 21 шт. на сумму 2 730 руб.
Номенклатурный номер: 8000959366
Артикул: AT25XE512C-XMHN-B
Бренд: Renesas Technology

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции 1.65V-3.6V Serial NOR Fusion Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 1.65В
Размер Памяти 512Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSSOP
Тактовая Частота 104МГц
Тип Flash Памяти Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС SPI
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.07

Техническая документация

Datasheet AT25XE512C-XMHN-B
pdf, 2378 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.