AT45DB021E-MHN-Y, Флеш память, Последовательная NOR, 2 Мбит, SPI, UDFN, 8 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1710 шт., срок 8-10 недель

320 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 10 шт. — 280 руб.

от 50 шт. — 253 руб.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 2 880 руб.

Номенклатурный номер: 8000971350

Артикул: AT45DB021E-MHN-Y

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	1.65V-3.6V Serial NOR DataFlash Memories
Максимальная Рабочая Температура	85°C
Максимальное Напряжение Питания	3.6В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	1.65В
Размер Памяти	2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти	UDFN
Тактовая Частота	70МГц
Тип Flash Памяти	Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС	SPI
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.68

pdf, 2490 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем