AT45DB041E-MHN-Y, Флеш память, Последовательная NOR, 4 Мбит, SPI, UDFN, 8 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2255 шт., срок 8-10 недель
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
380 руб.
от 50 шт. —
349 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 3 010 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Технические параметры
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | 1.65V-3.6V Serial NOR DataFlash Memories |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Минимальное Напряжение Питания | 1.65В |
Размер Памяти | 4Мбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | UDFN |
Тактовая Частота | 85МГц |
Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
Тип Интерфейса ИС | SPI |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.36 |
Техническая документация
Datasheet AT45DB041E
pdf, 2539 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.