AT45DB041E-MHN-Y, Флеш память, Последовательная NOR, 4 Мбит, SPI, UDFN, 8 вывод(-ов)

AT45DB041E-MHN-Y, Флеш память, Последовательная NOR, 4 Мбит, SPI, UDFN, 8 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2255 шт., срок 8-10 недель
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.380 руб.
от 50 шт.349 руб.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 3 010 руб.
Номенклатурный номер: 8000971351
Артикул: AT45DB041E-MHN-Y
Бренд: Renesas Technology

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции 1.65V-3.6V Serial NOR DataFlash Memories
Максимальная Рабочая Температура 85 C
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Минимальное Напряжение Питания 1.65В
Размер Памяти 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти UDFN
Тактовая Частота 85МГц
Тип Flash Памяти Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС SPI
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.36

Техническая документация

Datasheet AT45DB041E
pdf, 2539 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.