ATP101-TL-H, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 25 А, 0.023 Ом, ATPAK, Surface Mount

Фото 2/2 ATP101-TL-H, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 25 А, 0.023 Ом, ATPAK, Surface Mount
Фото 1/2 ATP101-TL-H, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 25 А, 0.023 Ом, ATPAK, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
940 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
120 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.103 руб.
от 100 шт.79 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8627475570
Артикул: ATP101-TL-H
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор SWITCHING DEVICE

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора ATPAK
Рассеиваемая Мощность 30Вт
Полярность Транзистора P Канал
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 25А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.023Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 2.6В
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 25 A
Pd - рассеивание мощности 30 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 30 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ATP101
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок ATPAK-3
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Id - Continuous Drain Current 25 A
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case ATPAK-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 30 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms
Series ATP101
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Unit Weight 0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet ATP101-TL-H
pdf, 342 КБ
Datasheet ATP101-TL-H
pdf, 337 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах