Мой регион: Россия

ATP302-TL-H, МОП-транзистор, P Канал, -70 А, -60 В, 0.01 Ом, -10 В, -2.6 В

Ном. номер: 8202270628
PartNumber: ATP302-TL-H
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 ATP302-TL-H, МОП-транзистор, P Канал, -70 А, -60 В, 0.01 Ом, -10 В, -2.6 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 ATP302-TL-H, МОП-транзистор, P Канал, -70 А, -60 В, 0.01 Ом, -10 В, -2.6 В
180 руб.
4056 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 147 руб.
от 100 шт. — 117 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 8 дней, 180 шт. 10 шт. 10 шт.
от 30 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 106 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Package Type
ATPAK
Maximum Power Dissipation
70 W
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
7.3мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Height
1.5мм
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
115 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.17

Дополнительная информация

Datasheet ATP302-TL-H

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.