AUIRF3710Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней

610 руб.

от 2 шт. — 510 руб.

от 3 шт. — 464 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.

Номенклатурный номер: 8001988971

Бренд: Нет торговой марки

Электроэлемент

AUIRF3710Z N-channel MOSFET Transistor; 59 A; 100 V; 3-Pin TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	59A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Last Time Buy
Power Dissipation (Max)	160W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
Series	HEXFETВ®
Standard Package	50
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	4.385