AUIRF7342Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
1 270 руб.
от 2 шт. —
1 140 руб.
от 5 шт. —
1 050 руб.
от 10 шт. —
1 002.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 270 руб.
Номенклатурный номер: 8003338083
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, SOIC-8, Transistor Polarity:Dual P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.4A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):0.095ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-3V, , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.3 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -3.4 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 26 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 105 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.01787 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -3 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.166 |
Техническая документация
auirf7342q
pdf, 267 КБ
AUIRF7342QTR datasheet
pdf, 172 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
