AUIRFB8409, Транзистор, Autom Q101 Nкан 40В 195А 1.3мОм [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 15 шт. —
460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0013 Ом/100А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 | |
Крутизна характеристики, S | 150 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | автомобильные приложения | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet auirfs8409
pdf, 398 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают