AUIRFP064N, MOSFET

Фото 2/2 AUIRFP064N, MOSFET
Фото 1/2 AUIRFP064N, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
540 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8894061413
Артикул: AUIRFP064N
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 110 A
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 200 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.31мм
Высота 20.7мм
Размеры 15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.87мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 43 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 170 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4000 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet AUIRFP064N

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах